自动化的AFM计量

洞察力帽惠普

下一代紧凑原子分析器提供最高的价值、性能和所有权成本最低

超低噪声成像和AFM分析

突出了

洞察力帽惠普

洞察力帽惠普是世界上最直观,最容易使用,成本有效原子力分析器提供最快的时间准确、可行的粗糙度,深度,profilometric和侧壁特征数据及时,process-critical决定提高收益率。

0.05纳米
粗糙度检测极限
无与伦比的数据的精度要求在所有关键决策点信心
> 30 /小时的网站
最高生产率为内联粗糙度计量
高通量模式支持多站点的所有权成本最低,multi-wafer抽样,给予更大的洞察过程控制
Fab-hardened自动化
25年的创新
概念驱动的,直观的应用程序模式确保世界一流的计量,每个人,每一次

Anwendungen

表面粗糙度

512 x 512图像在TrueSense™

监控的裸晶圆表面粗糙度和毯子电影是现代半导体器件制造的关键和新兴技术如端混合粘结的轻微偏移的表面粗糙度和地形会导致defectivity和焊接失败。

洞察力CAP-HP行业最快,最高分辨率自动AFM裸/诅咒的晶片高容量的计量。高达20 WPH - 2 x 2 nm像素大小——fab硬化和设计的易用性,洞察CAP-HP使最快的时间为关键流程数据,可以依赖的决定。

裸晶圆缺陷检查

缺陷在裸露的和未成形的晶片是隐藏的设备杀手。缺陷变得越来越难找到。在先进的设计节点,更高的模式密度和较小的临界尺寸收缩的最小大小yield-killing裸硅片缺陷。
一旦未成形的晶片上的缺陷已确定,审查制度必须准确地重新检测这些缺陷进行审查。洞察力CAP-HP支持+切口边缘建立全球粗对齐。缺陷re-detected,坐标系统是动态细化,以确保所有后续缺陷的快速检测。

深度计量,计量BEOL接触

(我)自顶向下和(2)3接触孔的横截面。(iii)的一块接触深度以3探测器展示< 1 nm probe-to-probe可重复性。

深度测量的后端行过程控制是至关重要的,确保适当的接触金属层,以确保较低的力量和速度要求当今的半导体。

力量的专有DTMode使用一种自适应矢量扫描算法最快,最精确的深度为生产高容量计量。DTMode是保证高精度的事实在DTMode收集的数据点都是只有那些数据点的系统取得了定位点条件。

CMP APC

CMP后碟形和侵蚀计量使用洞察帽惠普分析应用《埃规模和长期的再现性。

过程控制要求精度,精度和长期再现性;CMP过程控制需要所有这些的同时保持敏感性现代抛光技术的子纳米地形方面,中期,和古代的行结束。

洞察力CAP-HP微微米的灵敏度保证检测的波兰残余地形。0.3纳米,长远来看,probe-to-probe重复性和再现性,这是信任数据过程控制。

侧壁粗糙度和计量

(我)的3 d渲染线/与侧壁粗糙度强调空间结构;(2)截面的空间结构也揭示了井壁破坏的基础

互补金属氧化物半导体元件性能直接受到载流子迁移率的影响,由侧壁表面粗糙度的强烈影响。场高载流子迁移率取决于表面散射,因此表面粗糙度是一个关键参数监测

力量的专有CDMode侧壁的行业标准CD-AFM计量和CD参考计量。CDMode批判性的使用喇叭靴子形状的探针来确保只有一个单点探测与井壁相互作用。如果超过一个单点交互出现,例如倾斜扫描仪的数据不能准确地代表侧壁形态和粗糙度。

CMOS图像传感器和滤色器的分析

现代图像传感器集成的关键计量参数µ-lenses监视AFM和颜色过滤器

我们最喜欢的高分辨率图像有问题由今天无处不在的CMOS图像传感器(CIS)需要高效光收集和颜色过滤。为此,光收集眼镜继续萎缩而镜片的形状必须专注光虽然颜色过滤器(CFA)

洞察力帽惠普有专门独联体和CFA分析为今天的独联体和CFA设计计量的要求。CIS,每个镜头都是自动识别和关键指标自动计算和报告。

支持

支持

我们如何帮助?

力量合作伙伴与客户解决实际应用问题。我们开发新一代技术,帮助客户选择合适的系统及配件。这种伙伴关系继续通过培训和扩展服务,很久以后销售的工具。

我们的训练有素的团队的支持工程师,科学家和应用主题专家是完全致力于最大化工作效率与系统服务和升级,以及应用程序的支持和培训。

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