硅和W晶圆蚀刻残留物的快速元素映射

当分析时间应该最小化时，需要使用高输入计数率(ICR)的元素映射。在短测量时间(1帧= 7秒)使用典型的输入计数率(在本例中为63 kcps)时，总计数的数量太低，无法提供定量的元素分布，甚至无法在没有滤波的情况下显示分布(图2顶部)。

当需要进行峰值反褶积时，映射尤其具有挑战性，例如本例中Si-K和W-M峰值线系列重叠(即Si-Ka在1.740 keV, W-Ma线在1.775 keV)。在线反褶积函数应用于EDS映射以检索反褶积净峰值强度(图1)。

更高的电子束电流提供更高的入射计数率(本例中的ICR为700 kcps)，允许快速EDS绘图，具有足够的计数统计数据和保留的光谱质量。使用这样的测量条件，新的XFlash^®7探测器提供了精确到物理最佳分辨率的详细元素分布图像，而不需要映射滤波(图2底部，图3底部)。