QEDS

半導体の特性は、原子レベルの構造、例えば点欠陥によって決まります。可能な限り最高の解像度でEDSマッピングを使用することで、そのような欠陥を見つけて特徴付けることができます。

このアプリケーションの例では、M.W.Chuによって提供および公開されたデータを確認します（M.W.中建al.,phys公元前莱特104, 196101 (2010), https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.104.196101）。調査されたのは、InGaAsとInAlAsの交互層からなる多層構造でした。わずか3msのドウェル時間（合計13秒の測定時間）と33pAのビーム電流を使用して、InGaAs構造の原子配列のIn組成の変動を決定することができました。Inがないことは、Inマップの右下隅にある青色が見つからないことでわかります。それによって、HAADのラインプロファイルにおいてInGaが低く表示されています。