甘如果电源设备计量

甘如果电力设备上可以加强和生长最好的缓冲区,但设备层是相同的对于这两种类型。

加强缓冲区用于低压设备和通常更复杂的结构。在这些缓冲区,个别层的成分是必需的和可以从HRXRD获得测量获得的质量从摇摆曲线的宽度。

超晶格的缓冲区更复杂,已经发展为高电压设备。它们包括重复影响沃甘/氮化镓(或相似的)层和HRXRD提供了超晶格周期超晶格和平均沃甘组成。

无论缓冲层、设备层参数需要从x射线测量每一层的厚度和组成沃甘阻挡层。这些可以找到x射线扫描的组合。

一整套计量为GaN如果应用程序开发。包括缓冲层的使用三轴扫描分析,摇摆曲线质量和超高速的组合RSMs(下降到10秒)和组合扫描结构的完整描述。