FilmTek 2000 TSV
先进的计量系统的高通量测量半导体封装的应用程序
突出了
2000年FilmTek m-tsv
的FilmTek™2000 TSV计量系统提供了一个无与伦比的结合先进的半导体封装应用程序的速度和准确度。该系统提供最佳的测量性能和精度高通量测量的各种包装过程和相关的结构,包括描述抵制厚度,通过硅通过(tsv) Cu-pillars,疙瘩,再分配层(RDL)。
高收益TSV制造需要快速、高精度的测量TSV蚀刻深度和深度一致性。FilmTek 2000 TSV系统特性我们的专利光学方法,基于法线入射反射计,使用户能够高效、精确测量高纵横比的腐蚀深度TSV结构。通过结构的系统可以很容易地确定腐蚀深度和直径大于1µm 500µm的最大腐蚀深度。
此外,我们的专利低功率目标光学设计使FilmTek 2000 TSV实现很小的现货大小——相同的顺序有针对性的通过结构的直径,近平行测量光束。例如,系统可以配置,这样一个10倍的目标给出了测量光斑大小5µm 10µm x和y的维度,分别。这种光学设计限制收集的角谱的相干光和最大化的光谱反射高纵横比TSV或沟结构。系统可以因此交付数据远比计量仪器更清晰,使用高功率的目的。
附加功能包括高度或深度的测量,临界尺寸,和microbumps膜厚度,战壕,和各种各样的其他结构和应用程序。
无与伦比的
精度和速度
提供快速、高精度的测量复杂的三维结构在每点~ 1秒。
独特的
专利光学方法
使高性能蚀刻深度测量高纵横比TSV结构,包括通过结构与直径到1µm 500µm腐蚀深度。
高通量
测量能力
克服挑战的抵抗测量厚度,通过硅通过(tsv) Cu-pillars,疙瘩,再分配层(RDL)和其他包装流程。
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特性
测量功能
使测定:
- TSV腐蚀深度与直径大于1µm通过结构的最大腐蚀深度500µm。
- 高度和深度
- 临界尺寸
- 膜厚度
系统组件
标准:
- 测量高纵横比TSV结构
- 测量500µm TSV腐蚀深度
- 测量直径下降到1µm TSV结构
- 专利FilmTek技术
- 快速测量时间(每点~ 1秒)
- TSV蚀刻深度、凹凸高度,临界尺寸和膜厚度测量在一个单一的工具
- 盒式磁带薄片处理
- 布鲁克斯或SCI自动化
- 300毫米,FOUP SMIF兼容
- 秒/宝石
应用程序
典型应用领域
典型的应用领域包括:
- TSV计量
- 先进的半导体封装
灵活的软件,可以很容易地修改以满足独特的客户需求研发和生产环境。
规范
技术规格
| 测量功能 |
TSV蚀刻深度、凹凸高度,临界尺寸和膜厚度 |
|---|---|
| 晶片处理 | 布鲁克斯或力量 |
| 基板尺寸 | 200或300毫米 |
| 模式识别 | Cognex |
| CD精度(1σ) | < 0.2% |
| 腐蚀深度精度(1σ) | < 0.005% |
| 膜厚度范围 | 5 nm 350µm (5 nm 150µm标准) |
| 膜厚度精度(1σ) | < 0.005% |
| 光源 | 卤素灯 |
| 探测器类型 | 2048像素索尼线性CCD阵列 |
| 电脑 | 多核处理器操作系统Windows™10 |
| 晶片的吞吐量 | > 60 WPH |
通过腐蚀深度的比较FilmTek 2000 TSV和SEM
| 通过直径(µm) | 腐蚀深度(µm) 扫描电镜 |
腐蚀深度(μm) FilmTek 2000 TSV |
|---|---|---|
| 5 | 44.5 | 44.3 |
| 10 | 55.5 | 55.5 |
| 15 | 62.0 | 61.8 |
| 20. | 66.5 | 66.8 |