FilmTek CD
多模态临界尺寸测量和先进薄膜计量
突出了
FilmTek CD
的FilmTekTMCD光学关键尺寸系统是我们领先的解决方案，可用于1x nm设计节点及以上的全自动、高通量CD测量和先进的薄膜分析。该系统同时对已知和完全未知的结构提供实时多层堆栈表征和CD测量。
FilmTek CD利用专利的多模态测量技术来满足与开发和生产中最复杂的半导体设计特征相关的具有挑战性的要求。该技术可以测量极小的线宽，在10纳米以下的范围内具有高精度测量。
现有的测量工具依赖于传统的椭圆测量或反射测量技术，其实时精确解析CD测量的能力有限，在设备研发过程中需要繁琐的库生成。FilmTek CD通过专利的多模态测量技术克服了这一限制，即使对完全未知的结构也能提供精确的单一解决方案。
FilmTek CD包括专有的衍射软件，快速，实时优化。实时优化使用户能够轻松地测量未知结构，只需最少的设置时间和配方开发，同时避免与库生成相关的延迟和复杂性。
1x nm设计节点
测量能力
提供快速，可扩展的CD计量和先进的薄膜分析。
Sub-10纳米
高性能的测量
能够以极小的线宽精确表征复杂半导体特征。
实时
优化CD测量
克服了传统系统的局限性，提供可靠的测量，并减少了操作人员的干预。
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特性
测量功能
- 厚度，折射率，光学CD计量
- 未知薄膜的光学常数表征
- 超薄膜堆的厚度
- 广泛的关键尺寸测量应用，包括金属闸门凹槽，高k凹槽，侧壁角度，抗高，硬掩模高度，沟槽和接触轮廓，以及俯仰行走
系统组件
标准:
- 多模态测量技术用于1xnm设计节点及以上的实时多层堆叠表征和CD测量
- 具有专有严格耦合波分析(RCWA)的多角度散射测量
- 正入射椭偏光谱仪
- 旋转补偿器设计的光谱广义椭圆偏振(4×4矩阵概化法)
- 多角度DUV-NIR偏振光谱反射(Rs, Rp, Rsp, Rps)
- 全CD参数测量，包括周期，线宽，沟槽深度和侧壁角度
- 独立测量薄膜厚度和折射率
- 专利抛物面镜技术-小光斑尺寸测量在50×50微米的特征
- 快速、实时的优化允许使用最少的设置时间(不需要生成库)实现广泛的应用程序
- 模式识别(Cognex)
- 盒式对盒式硅片处理
- FOUP或SMIF兼容
- 秒/宝石
可选:
- 为了适应广泛的预算和最终用途应用，该系统也可作为手动加载，用于研发的台式单元
应用程序
典型应用范围
典型应用包括:
- 半导体研发与生产
规范
技术规格
| 薄膜厚度范围 | 0 Å至150µm |
|---|---|
| 薄膜厚度精度 | ±1.0 Å用于NIST可追溯标准氧化物100 Å至1µm |
| 光谱范围 | 190纳米- 1000纳米(标准为220纳米- 1000纳米) |
| 测量光斑大小 | 50µm |
| 光谱分辨率 | 0.3纳米 |
| 光源 | 调节型氘卤灯(寿命2000小时) |
| 探测器类型 | 2048像素索尼线阵CCD阵列 |
| 电脑 | 多核处理器，Windows™10操作系统 |
| 测量时间 | ~2秒(如氧化膜) |
性能规格
| 电影(年代) | 厚度 | 测量参数 | 精度(1σ） |
|---|---|---|---|
| 氧化物/硅 | 0 - 1000 Å | t | 0.03 |
| 1000 - 50万Å | t | 0.005% | |
| 1000年,一个 | T, n | 0.2 Å / 0.0001 | |
| 15000年,一个 | T, n | 0.5 Å / 0.0001 | |
| 150.000 | T, n | 1.5 Å / 0.00001 | |
| 氮化物/硅 | 200 - 10000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10000 Å | T, n | 0.05% / 0.0005 | |
| 光刻胶/硅 | 200 - 10000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10000 Å | T, n | 0.05% / 0.0002 | |
| 多晶硅/氧化物/硅 | 200 - 10000 Å | t聚t氧化 | 0.2 Å / 0.1 Å |
| 500 - 10000 Å | t聚t氧化 | 0.2 Å / 0.0005 |