FilmTek 2000 PAR-SE
先进的多模态计量几乎任何先进的薄膜或产品晶圆测量
突出了
FilmTek 2000 PAR-SE
FilmTek™2000 PAR-SE光谱椭偏仪/多角度反射测量系统结合了尖端和专有的FilmTek技术，提供行业领先的精度，精度和多功能性，几乎任何先进的薄膜测量应用从研发到生产。其标准的小光斑测量尺寸和模式识别能力使该系统成为表征有图案的薄膜和产品晶圆的理想选择。
作为我们最先进的组合测量产品线(“PAR-SE”)的一部分，FilmTek 2000 PAR-SE能够满足主流应用所需的平均厚度、分辨率和光谱范围之外的测量要求，并由标准仪器提供。
它提供了非常精确和可重复的超薄到薄膜的厚度和折射率测量(特别是在多层堆叠中)。此外，该系统对这些样品中的非均匀性比传统的椭圆偏振仪和反射仪更敏感。这是FilmTek 2000 PAR-SE的多模态设计的结果，它结合了高性能旋转补偿器的光谱椭偏仪与我们的专利多角度微分偏振(MADP)和微分功率谱密度(DPSD)技术，扩展/宽光谱范围DUV多角度偏振反射，我们的专利抛物面镜光学设计，和先进的FilmTek软件。
多才多艺的
样品相容性和材料建模
为几乎所有先进的薄膜测量应用提供行业领先的速度和精度
前沿
结合FilmTek系统设计
满足主流应用和标准仪器功能以外的测量要求
可配置的
软件和硬件
提供额外的灵活性，进一步定制，以满足非标准的测量要求。
了解更多关于这个乐器的知识。
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特性
测量功能
可同时测定:
- 多层厚度
- 折射率[n(λ)]
- 消光(吸收)系数[k(λ)]
- 能带隙[Eg]
- 成分(如SiGex中%Ge, GaxIn1-xAs中% Ga, AlxGa1-xAs中%Al等)
- 表面粗糙度
- 组分，空隙分数
- 结晶度/非晶化(如Poly-Si或GeSbTe薄膜)
- 电影梯度
系统组件
标准:
- 具有旋转补偿器设计的光谱椭圆偏振仪(295 nm - 1700 nm)
- 多角度偏振光谱反射(190 nm - 1700 nm)
- 独立测量薄膜厚度和折射率
- 多角度微分偏振(MADP)技术与SCI专利的微分功率谱密度(DPSD)技术
- 非常适合测量超薄膜(0.03 Å对天然氧化物的重复性)
- 相机用于成像测量位置
- 模式识别
- 50微米的光斑尺寸
- 先进的材料建模软件
- 布鲁克广义材料模型与先进的全局优化算法
可选:
- 广义椭圆偏振法(4×4矩阵概化法)用于各向异性测量(nxnynz）
- 盒式对盒式硅片处理
- FOUP和SMIF兼容
- 模式识别(Cognex)
- 秒/宝石
应用程序
典型应用范围
几乎所有厚度从小于1 Å到大约150µm的半透明薄膜都可以高精度测量。典型应用领域包括:
- 硅半导体
- 复合semconductor
- 领导/ OLED
灵活的硬件和软件，可以轻松修改，以满足独特的客户需求，特别是在研发和生产环境。
规范
技术规格
| 薄膜厚度范围 | 0 Å至150µm |
|---|---|
| 薄膜厚度精度 | ±1.0 Å用于NIST可追溯标准氧化物100 Å至1µm |
| 光谱范围 | 190纳米- 1700纳米(标准为220纳米- 1000纳米) |
| 测量光斑大小 | 25µm - 300µm(正常入射);2 mm(70°) |
| 样本大小 | 2毫米- 300毫米(标准150毫米) |
| 光谱分辨率 | 0.3 nm - 2nm |
| 光源 | 调节型氘卤灯(寿命2000小时) |
| 探测器类型 | 2048像素Sony线阵/ 512像素冷却滨松InGaAs CCD阵列(近红外) |
| 自动对焦的自动舞台 | 300毫米(标准为200毫米) |
| 电脑 | 多核处理器，Windows™10操作系统 |
| 测量时间 | 每个部位<1秒(如氧化膜) |
性能规格
| 电影(年代) | 厚度 | 测量参数 | 精度(1σ） |
|---|---|---|---|
| 氧化物/硅 | 0 - 1000 Å | t | 0.03 |
| 1000 - 50万Å | t | 0.005% | |
| 1000年,一个 | T, n | 0.2 Å / 0.0001 | |
| 15000年,一个 | T, n | 0.5 Å / 0.0001 | |
| 150.000 | T, n | 1.5 Å / 0.00001 | |
| 氮化物/硅 | 200 - 10000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10000 Å | T, n | 0.05% / 0.0005 | |
| 光刻胶/硅 | 200 - 10000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10000 Å | T, n | 0.05% / 0.0002 | |
| 多晶硅/氧化物/硅 | 200 - 10000 Å | t聚t氧化 | 0.2 Å / 0.1 Å |
| 500 - 10000 Å | t聚t氧化 | 0.2 Å / 0.0005 |