FilmTek 6000 PAR-SE
用于IC器件开发和制造的先进多模态薄膜测量技术
突出了
FilmTek 6000 PAR-SE
FilmTek™6000 PAR-SE先进的多模态薄膜测量系统可在1xnm设计节点及以上范围内对薄膜厚度、折射率和应力进行监测，并经过生产验证。该系统在最新一代ic生产过程中实现了更严格的工艺控制，提高了器件良率，并支持下一节点技术的发展。
制造1x nm的先进IC器件需要使用高度均匀的复杂薄膜。可以监测极薄薄膜(通常在多层薄膜堆中)的计量工具(例如，高k和氧化氮氧化薄膜)使制造商能够严格控制薄膜制造过程。此外，一些过程，如多模式，会导致薄膜厚度的梯度，必须监测以获得最佳设备性能(例如，植入物损伤和低k薄膜)。不幸的是，现有的测量工具依赖于传统的椭圆测量或反射测量技术在检测这些应用的薄膜梯度变化的能力上是有限的。
为了克服这些挑战，FilmTek 6000 PAR-SE结合了光谱椭圆偏振仪和DUV多角度偏振反射仪，具有广泛的光谱范围，以满足与多模式和其他前沿器件制造技术相关的需求。该系统采用多角度微分偏振测量(MADP)和微分功率谱密度(DPSD)技术，独立测量薄膜厚度和折射率，显著提高了对薄膜变化的灵敏度，特别是多层堆栈内的薄膜变化。这种组合方法对于用于复杂器件结构的超薄和厚多层薄膜堆栈都是理想的。
1xnm节点
检验与计量
为尖端IC器件制造和生产的挑战提供有针对性的，高效的解决方案。
可伸缩的
PAR-SE技术和配置
在200毫米和300毫米晶圆上提供行业领先的测量性能。
优化
复合膜监测
使均匀性和梯度厚度监测极薄膜在多层堆叠。
了解更多关于这个乐器的知识。
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特性
测量功能
可同时测定:
- 多层厚度
- 折射率[n(λ)]
- 消光(吸收)系数[k(λ)]
- 能带隙[Eg]
- 成分(如SiGex中%Ge, GaxIn1-xAs中% Ga, AlxGa1-xAs中%Al等)
- 表面粗糙度
- 组分，空隙分数
- 结晶度/非晶化(如Poly-Si或GeSbTe薄膜)
- 电影梯度
系统组件
标准:
- 具有旋转补偿器设计的光谱椭圆偏振仪(295 nm - 1700 nm)
- 多角度偏振光谱反射(190 nm - 1700 nm)
- 独立测量薄膜厚度和折射率
- 多角度微分偏振(MADP)技术与SCI专利的微分功率谱密度(DPSD)技术
- 非常适合测量超薄膜(0.03 Å对天然氧化物的重复性)
- 专利抛物面镜技术-小光斑尺寸测量在50×50微米的特征
- 盒式对盒式硅片处理
- 模式识别(Cognex)
- FOUP或SMIF兼容
- 秒/宝石
- 先进的材料建模软件
- 布鲁克广义材料模型与先进的全局优化算法
应用程序
典型应用范围
典型应用领域包括:
- 半导体IC器件
规范
技术规格
| 薄膜厚度范围 | 0 Å至150µm |
|---|---|
| 薄膜厚度精度 | ±1.0 Å用于NIST可追溯标准氧化物100 Å至1µm |
| 光谱范围 | 190纳米- 1700纳米(标准为220纳米- 1000纳米) |
| 测量光斑大小 | 50µm |
| 样本大小 | 2毫米- 300毫米(标准150毫米) |
| 光谱分辨率 | 0.3 nm - 2nm |
| 光源 | 调节型氘卤灯(寿命2000小时) |
| 探测器类型 | 2048像素Sony线阵/ 512像素冷却滨松InGaAs CCD阵列(近红外) |
| 电脑 | 多核处理器，Windows™10操作系统 |
| 测量时间 | 每个部位~2秒(如氧化膜) |
性能规格
| 电影(年代) | 厚度 | 测量参数 | 精度(1σ） |
|---|---|---|---|
| 氧化物/硅 | 0 - 1000 Å | t | 0.03 |
| 1000 - 50万Å | t | 0.005% | |
| 1000年,一个 | T, n | 0.2 Å / 0.0001 | |
| 15000年,一个 | T, n | 0.5 Å / 0.0001 | |
| 150.000 | T, n | 1.5 Å / 0.00001 | |
| 氮化物/硅 | 200 - 10000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10000 Å | T, n | 0.05% / 0.0005 | |
| 光刻胶/硅 | 200 - 10000 Å | t | 0.02% |
| 500 - 10000 Å | T, n | 0.05% / 0.0002 | |
| 多晶硅/氧化物/硅 | 200 - 10000 Å | t聚t氧化 | 0.2 Å / 0.1 Å |
| 500 - 10000 Å | t聚t氧化 | 0.2 Å / 0.0005 |