力量纳米分析提出:

半导体薄片的EDS扫描电镜(T-SEM)和阀杆

点播会话- 60分钟

定量元素的映射Electron-Transparent样本

半导体结构的不断小型化要求对纳米尺度的理解,以确保合适的设计和失效分析。许多调查需要昂贵的测量次高端透射电子显微镜以及复杂的样品制备和样品转移例程。

我们显示选项来评估元素分布电子透明的样品,例如FIB薄片,用能量色散x射线光谱不仅在TEM,而且在扫描电镜(图1)或在心房纤颤。单、多和环形力量XFlash®探测器可用于快速数据采集。有效的方法定量EDS电子透明标本扫描电镜(所谓的T-SEM)和阀杆。

此外,EDS与其他分析技术,如无损微x射线荧光分析(micro-XRF)使用力量M4龙卷风和菊池衍射传播(跆拳道使用电子透明标本SEM)。

元素分布(净计数后元素线反褶积)在半导体薄片叠加在二次电子图像。标本后进行SEM FIB使用高收集角环形力量XFlash FlatQUAD收购EDS探测器和3分钟的时间。为了清晰起见,并非所有元素所示。

谁应该参加?

  • 科学家和应用科学家从半导体晶圆厂和实验室
  • 学术人员和学生感兴趣的小谎,样品制备,SEM, TEM-EDS元素和结构分析和相关分析技术

演讲者

博士Meiken Falke

全球产品经理EDS / TEM,力量纳米分析

马克斯Patzschke

应用科学家EDS,力量纳米分析

博士Purvesh索尼

应用科学家EDS,力量纳米分析

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