力量纳米分析提出:

优化是从汤姆斯LED设备用EDS电子透明标本的阀杆和SEM

点播会话- 57分钟

Nanoanalysis FIB片晶的能量色散x射线光谱扫描电子显微镜

在纳米级半导体结构的理解大多需要高端分析扫描透射电子显微镜包括各自的组合和复杂的样品制备方法。作为一个例子,我们现在研究的UV-LEDs最近检测skin-tolerant失活SARS-CoV-2和多药耐药细菌。优化这些设备通常需要结构和成分分析涉及STEM-EDXS、鳗鱼和高分辨率成像。挑战可以引入定量分析传统TEM-specimen准备。制备工件识别研究Si-Ge层系统和FIB最小化了。

现在,如果FIB-prepared标本可用于事先甚至部分的SEM分析了吗?

我们探索这样的替代品进行所谓的T-SEM:调查电子透明FIB-lamellae SEM。沃甘基于led准备在截面和标准提升技术的研究EDS扫描电镜。可能性和局限性的量化SEM的半导体层系统的组成,包括元素形态衬底缺陷引发的枯竭和隔离,将获得的数据和相关的干细胞。

概述元素的分布在一个无伤大雅的薄板通过SEM, EDS净计数,原始数据

谁应该参加?

半导体制造的——科学家和学者,包括激光光谱学研究

-学术人员和学生感兴趣:

  • 半导体材料雷竞技网页版
  • 撒小谎
  • 透射电镜样品制备
  • SEM, T-SEM和STEM-EDS相关分析技术

演讲者

安娜Mogilatenko博士

Ferdinand-Braun-Institut gGmbH

Leibniz-Institut裘皮Hochstfrequenztechnik,柏林洪堡大学的

博士Purvesh索尼

应用科学家,力量纳米分析

Igor Nemeth博士

应用科学家,力量纳米分析

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