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故障分析

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雷竞技网页版故障分析是生产半导体材料所需生产控制不可或缺的部分视物料应用而定,故障分析可划分为电化测试和机械测试,以调查产品或物料故障的根本原因

SEM/TEM解决方案

STEM量化EDS与组件级单个样本准备提供识别和研究半导体设备内部结构缺陷的手段

应用实例

选定微处理器概述:M4TORNADO获取的微XRF地图

微处理器线连接EBSD微结构特征

Ball联结是一种电线联结类型,常用半导体设备电路互连

高角消除暗域图像互连结构

化学组成半导体互连

标准散射X射线分光镜(EDS或EDX)使用30m2检测区常规扫描传输电子镜(STEM)可在几分钟内提供Nm分辨率元素映射条件为检测器头小小(微线设计)以尽可能接近标本(高固角)并高到标本上方(高起角)。后一种作用帮助避免阴影和吸收效果

FinFET_Fig1_HAADF-EDS-Quant

雷竞技网页版大集合角EDS检测器供高端STEM材料研究

单EDS传输电子显微镜检测器必须满足非常具体的几何约束大固角X射线采集并不够高起飞角、合适的堆块或极片覆盖和适配标码持有者几何学对成功EDS分析至关重要,有助于控制嵌入和系统峰值大型oval检测器区可支持优化所有参数

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宣布释放一个新的大型采集角EDS检测器,Oval形状SDD面积为100mm2,XFlash+6T-100Oval对TEM和STEM和XFlash+6-100Oval对SEM和TSEM

微xRF

布拉格峰值通常被视为微XRF中的阻塞人工品,在光谱中可见,因此可以在XRF地图上可视化布鲁克微xRF工具可视觉化布列格峰值外观、消失或移位并快速大面积映射流水线方向或结构显示变化

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雷竞技网页版QUANTAXEBSD系统广受欢迎的OPTIMUS2检测器头部是SEM内分析纳米材料最佳可用解决方案