碳和氧在硅量化
硅制造商必须控制他们的碳和氧含量,因为他们可以有两个,对半导体有益和有害的影响。
量化的内容通过红外碳和氧
红外光谱分析硅碳和氧的快速、敏感、破坏自由,因此被广泛接受的如果质量控制方法。力量有几十年的经验在这个领域并提供最强大的和最新的解决方案。
进入碳和氧量化的细节
解决方案基于光谱仪研究系列:
- 室温量化的置换碳Si根据ASTM /半MF1391
- 室温量化间隙氧的Si根据ASTM /半MF1188
- 推荐样本属性:厚度0.5 - 2.5毫米,双面抛光,单晶或多晶
- 低温分析改善灵敏度约
10 ppba碳 - 可实现的检测限制< 400 ppba
解决方案基于CryoSAS低温硅分析仪
- 优化操作在工业环境高度敏感的低温Si分析不需要低温液体
- 完全自动化测量周期和数据评估,包括报告生成
- 同时量化碳、氧和浅杂质根据ASTM /半标准
- 进一步量化的B P和浅杂质在单晶Si低项目前期技术援助范围。
- 量化的置换碳在多晶硅或单晶Si低ppba范围
- 量化的间隙氧在多晶硅或单晶Si低ppba范围
解决方案基于SiBrickScan硅锭分析仪:
- 专用行系统量化的间隙氧与校准,完全硅锭与ASTM /半1188的标准
- 氧浓度剖面沿纵轴硅锭的结果
- 根据样品形状和属性的间隙氧检测极限< 2 ppma可以实现。
