硅核-c壳硅纳米颗粒的超高分辨率元素作图

光束敏感样品(如硅纳米颗粒)的sem - EDS分析需要非常低的光束电流和/或非常短的测量时间。当需要高空间分辨率时,必须使用低电压来减小电子-样品相互作用体积。对于传统的EDS测量,这种分析条件具有挑战性,因为诱导x射线产率非常低,因此需要很长的测量时间。结果是光束引起的样品漂移影响了空间分辨率。

EDS测量XFlash®FlatQUAD克服这些限制。独特的几何形状XFlash®FlatQUAD能够对低x射线产率材料进行高检测灵敏度,在低探头电流下提供高计数率。雷竞技网页版因此,XFlash®FlatQUAD探测器是理想的测绘光束敏感材料,甚至与地形。雷竞技网页版

这个例子展示了硅纳米颗粒的高分辨率地图(像素间距为2nm !)映射是用XFlash®FlatQUAD5kv, 520pa,采集时间377 s。结果表明,所制备的纳米颗粒具有硅核(绿色)和碳壳(红色)的特征。(数据来源:S.Rades et al., Royal Society of Chemistry Advances, 2014, 4,49577)

硅纳米颗粒在过滤材料上的SE图像
硅纳米粒子的元素分布图,红色为碳,绿色为硅
从元素图中提取的假色线扫描表明硅纳米颗粒的直径为100 nm