Si/C核/壳结构纳米颗粒的超高分辨率元素面分析

对于束流敏感样品(如Si纳米颗粒)的EDS分析,通常需要非常低的电流和/或非常短的测量时间。然而当需要高空间分辨率时，有必要使用低电压来降低电子与样品相互作用体积。对于传统的EDS测试而言,这种分析条件极具挑战性,因为低电压的X射线产率非常低,这就对应很长的测量时间。而长时间的测量，很可能因为束流引起的样品漂移而影响空间分辨率。

使用XFlash和FlatQUAD^®Eds测量则克服了这些限制。XFlash^®FlatQUAD具有独特的探测几何构型，可对低x射线产量的材料实现高灵敏度检测，在低电流下提供高计数率。因此, XFlash^®FlatQUAD EDS是面分析束流敏感材料(即使具有粗糙表面)的的理想之选。

本示例提供硅纳米颗粒的高分辨率图(像素间距仅为2 nm!测试参数为 5kV, 520 pA和377 s采集时间，使用XFlash FlatQUAD进行表征)。结果表明，这些纳米颗粒的结构为硅核（绿色）和碳壳（红色）。

数据提供:S。Rades等人，皇家化学学会进展，2014,4,49577